MP27942-LGY-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录MP27942GY-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。MP27942GY-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。Si88421BC-IS
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-Wide-16 封装。Si88340BC-ISR
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括通道数 4 个通道、数据速率 100 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Unidirectional、隔离电压 3750 Vrms、原产国家或地区 中国台湾。Si88340BC-IS
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括通道数 4 个通道、数据速率 100 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Unidirectional、隔离电压 3750 Vrms、原产国家或地区 中国台湾。Si8641BB-ASR
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。Si8641BB-AS
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。DCL542L01(T,E(O
Toshiba · 封装：WSOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 High Speed，采用 WSOIC-16 封装。DCM320C00(AS,EL)
Toshiba · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 50 Mb/s，采用 SOIC-8 封装。DCL521C00(T,E(S
Toshiba · 封装：SOIC-8-N
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、极性 Bidirectional、隔离电压 4.243 kV，采用 SOIC-8-N 封装。DCL520C00(T,E(S
Toshiba · 封装：SOIC-8-N
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、极性 Unidirectional、隔离电压 4.243 kV，采用 SOIC-8-N 封装。DCL520D00(T,E(S
Toshiba · 封装：SOIC-8-N
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、极性 Unidirectional、隔离电压 4.243 kV，采用 SOIC-8-N 封装。DCL521D00(T,E(S
Toshiba · 封装：SOIC-8-N
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、极性 Bidirectional、隔离电压 4.243 kV，采用 SOIC-8-N 封装。DCL542H01(T,E(O
Toshiba · 封装：WSOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 High Speed，采用 WSOIC-16 封装。DCL540C01(T,E
Toshiba · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、类型 High Speed、隔离电压 5000 Vrms，采用 SOIC-16 封装。DCL540D01(T,E
Toshiba · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、类型 High Speed、隔离电压 5000 Vrms，采用 SOIC-16 封装。DCL540H01(T,E
Toshiba · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、类型 High Speed、隔离电压 5000 Vrms，采用 SOIC-16 封装。DCL540L01(T,E
Toshiba · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、类型 High Speed、隔离电压 5000 Vrms，采用 SOIC-16 封装。DCL541A01(T,E
Toshiba · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、类型 High Speed、隔离电压 5000 Vrms，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。