SI8450BB-B-IS1R
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、产品 Digital Isolators、湿敏性 是。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录SI8650BB-B-IU
Silicon Labs · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 6 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 QSOP-16 封装。SI8651BB-B-IU
Silicon Labs · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 5 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 QSOP-16 封装。SI8652BB-B-IU
Silicon Labs · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 QSOP-16 封装。SI8652EB-B-IU
Silicon Labs · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 QSOP-16 封装。SI8650EB-B-IU
Silicon Labs · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 6 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 QSOP-16 封装。ADUM4401WBRWZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 Standard、传播延迟时间 32 ns，采用 SOIC-16 封装。ISO7021FD
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 4 Mb/s，采用 SOIC-8 封装。ISO7021D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 4 Mb/s，采用 SOIC-8 封装。SI8661EB-B-IU
Silicon Labs · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 5 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 QSOP-16 封装。ISO7021FDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 4 Mb/s，采用 SOIC-8 封装。ISO7021DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 4 Mb/s，采用 SOIC-8 封装。API7720FSB-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8W
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 100 Mb/S、极性 Bidirectional, Unidirectional、隔离电压 1.5 kVAC, 2.121 kVDC，采用 SO-8W 封装。API7720SB-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8W
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 100 Mb/S、极性 Bidirectional, Unidirectional、隔离电压 1.5 kVAC, 2.121 kVDC，采用 SO-8W 封装。API7721FSB-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8W
主要参数包括通道数 2 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 100 Mb/S、极性 Bidirectional, Unidirectional，采用 SO-8W 封装。2DIB0400FXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括组装国家或地区 中国、晶圆制造国家或地区 德国、原产国家或地区 德国、湿敏性 是、商品名称 ISOFACE、型号别名 2DIB0400F SP005424270。2DIB0401FXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括原产国家或地区 德国、湿敏性 是、商品名称 ISOFACE、型号别名 2DIB0401F SP005547215。4DIR0401HAXUMA1
Infineon Technologies · 封装：PG-DSO-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 6.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、数据速率 40 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 PG-DSO-16 封装。2DIB0410FXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括原产国家或地区 德国、湿敏性 是、商品名称 ISOFACE、型号别名 2DIB0410F SP005547289。2DIB0411FXUMA1
Infineon Technologies · 封装：PG-DSO-Narrow-8
主要参数包括原产国家或地区 德国、湿敏性 是、商品名称 ISOFACE、型号别名 2DIB0411F SP005547292，采用 PG-DSO-Narrow-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。