SI8460AA-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录SI8430BB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、传播延迟时间 6 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。ISO7230ADWG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3.15 V、工作电源电压 3.15～5.5 V、输出电流 4 mA、数据速率 1 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。SI8405AA-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 I2C Isolator，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8450AB-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 5 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8463AA-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8445BB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、产品 Digital Isolators、湿敏性 是。SI8451AA-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 5 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、传播延迟时间 35 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8442BA-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8441BA-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、传播延迟时间 6 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8451BB-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 5 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8405AB-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 I2C Isolator，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8460BA-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8430AB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、传播延迟时间 35 ns，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI8463BB-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8463BA-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8431BB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、传播延迟时间 6 ns，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI8462BA-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8400AB-B-ISR
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～5.5 V、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 I2C Isolator、极性 Bidirectional。SI8460AB-B-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。