Si88242BC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-20 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录Si88640EC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-24
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-24 封装。SI8382PS-IUR
Silicon Labs · 封装：QSOP-20
主要参数包括通道数 8 个通道、正向通道数 8 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 2 Mb/s，采用 QSOP-20 封装。SI8382PM-IUR
Silicon Labs · 封装：QSOP-20
主要参数包括通道数 8 个通道、正向通道数 8 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 2 Mb/s，采用 QSOP-20 封装。SI8382PF-IUR
Silicon Labs · 封装：QSOP-20
主要参数包括通道数 8 个通道、正向通道数 8 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 2 Mb/s，采用 QSOP-20 封装。Si88644EC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-24
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 0 个通道、反向通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-24 封装。Si88643EC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-24
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-24 封装。MAX14931DASE+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 1 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。SI8641ED-B-IS2R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。SI8640BD-B-IS2R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。MAX22344CAAP+T
Maxim Integrated · 封装：SSOP-20
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 200 Mb/s、隔离类型 Galvanic Isolation，采用 SSOP-20 封装。MAX22346CAAP+T
Maxim Integrated · 封装：SSOP-20
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 25 Mb/s, 200 Mb/s，采用 SSOP-20 封装。SI8712BD-B-IMR
Silicon Labs · 封装：LGA-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose，采用 LGA-8 封装。SI8640ET-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。Si88441EC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-20 封装。SI8630BB-B-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、隔离电压 2.5 kVrms，采用 SOIC-16 封装。Si88444EC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 0 个通道、反向通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-20 封装。Si88443EC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-20 封装。Si88440EC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-20 封装。Si88442EC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。