SI8711BC-B-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose，采用 SOIC-8 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录SI8718BC-A-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、隔离电压 3.75 kVrms，采用 SOIC-8 封装。SI8719BC-A-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、隔离电压 3.75 kVrms，采用 SOIC-8 封装。SI8423BD-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、产品 Digital Isolators。SI8711AC-B-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose，采用 SOIC-8 封装。SI8716BC-A-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 15 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、隔离电压 3.75 kVrms，采用 SOIC-8 封装。SI8711CD-B-IMR
Silicon Labs · 封装：LGA-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose，采用 LGA-8 封装。SI8650BD-B-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、认证等级 AEC-Q100、产品 Digital Isolators、湿敏性 是、单件重量 0.019313 oz，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI8652BD-B-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、认证等级 AEC-Q100、产品 Digital Isolators、湿敏性 是、单件重量 0.019313 oz，采用 SOIC-Wide-16 封装。Si88242EC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-20 封装。SI8652ED-B-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、认证等级 AEC-Q100、产品 Digital Isolators、湿敏性 是、单件重量 0.019313 oz，采用 SOIC-Wide-16 封装。Si88241BC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-20 封装。Si88240BC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2.5 ns、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SOIC-20 封装。SI8641ET-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。SI8642BT-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。SI8661AB-B-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8641BD-B-IS2R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.375 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。MAX22446CAWE+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 200 Mb/s、隔离类型 Galvanic Isolation，采用 SOIC-16 封装。Si88321EC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-20 封装。MAX14936FAWE+T
Maxim Integrated
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、传播延迟时间 5.1 ns、产品 Digital Isolators。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。