LTC1384CSW#TRPBF
Analog Devices · 封装:SO-18
该型号为接口集成电路,主要参数包括高度 2 mm、耗散功率(Pd) 1.1 mW,采用 SO-18 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices · 封装:SO-18
该型号为接口集成电路,主要参数包括高度 2 mm、耗散功率(Pd) 1.1 mW,采用 SO-18 封装。Analog Devices · 封装:SO-18
该型号为接口集成电路,主要参数包括耗散功率(Pd) 40 mW,采用 SO-18 封装。Analog Devices · 封装:SO-28
该型号为接口集成电路,主要参数包括高度 2 mm、耗散功率(Pd) 60 mW,采用 SO-28 封装。Analog Devices · 封装:SO-18
该型号为接口集成电路,主要参数包括高度 2 mm、耗散功率(Pd) 1.1 mW,采用 SO-18 封装。Analog Devices · 封装:SO-18
该型号为接口集成电路,主要参数包括耗散功率(Pd) 1.1 mW,采用 SO-18 封装。Analog Devices · 封装:SO-18
该型号为接口集成电路,主要参数包括高度 2 mm、耗散功率(Pd) .66 mW,采用 SO-18 封装。Analog Devices · 封装:SO-28
该型号为接口集成电路,主要参数包括高度 2 mm、耗散功率(Pd) 30 mW,采用 SO-28 封装。Analog Devices · 封装:SO-28
该型号为接口集成电路,主要参数包括高度 2 mm、耗散功率(Pd) 42 mW,采用 SO-28 封装。Analog Devices · 封装:SO-28
该型号为接口集成电路,主要参数包括高度 2 mm、耗散功率(Pd) 30 mW,采用 SO-28 封装。Analog Devices · 封装:SO-28
该型号为接口集成电路,主要参数包括高度 2 mm、耗散功率(Pd) 125 mW,采用 SO-28 封装。Analog Devices · 封装:SO-28
该型号为接口集成电路,主要参数包括耗散功率(Pd) 125 mW,采用 SO-28 封装。Analog Devices · 封装:SO-28
该型号为接口集成电路,主要参数包括耗散功率(Pd) 125 mW,采用 SO-28 封装。Analog Devices · 封装:SO-24
该型号为接口集成电路,主要参数包括耗散功率(Pd) 125 mW,采用 SO-24 封装。Analog Devices · 封装:SO-28
该型号为接口集成电路,主要参数包括耗散功率(Pd) 125 mW,采用 SO-28 封装。Analog Devices · 封装:SO-24
该型号为接口集成电路,主要参数包括耗散功率(Pd) 195 mW,采用 SO-24 封装。Analog Devices · 封装:SO-24
该型号为接口集成电路,主要参数包括耗散功率(Pd) 125 mW,采用 SO-24 封装。Analog Devices · 封装:SO-20
该型号为接口集成电路,主要参数包括高度 2 mm,采用 SO-20 封装。Analog Devices · 封装:SO-28
该型号为接口集成电路,主要参数包括高度 2 mm、耗散功率(Pd) 1.5 mW,采用 SO-28 封装。Analog Devices · 封装:SSOP-16
该型号为接口集成电路,主要参数包括高度 1.75 mm、耗散功率(Pd) 8 mW,采用 SSOP-16 封装。Analog Devices · 封装:SO-16
该型号为接口集成电路,主要参数包括高度 1.75 mm、耗散功率(Pd) 40 mW,采用 SO-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。