UJA1079ATW/3W/2Z
NXP Semiconductors · 封装：HTSSOP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 28 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电流 68 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 TH，采用 HTSSOP-32 封装。接口与通信
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型号列表
22,956 条型号记录UJA1079ATW/5/2Z
NXP Semiconductors · 封装：HTSSOP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 28 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电流 68 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 TH，采用 HTSSOP-32 封装。UJA1079ATW/5W/2Z
NXP Semiconductors · 封装：HTSSOP-32
主要参数包括电源电压（最大值） 28 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电流 68 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 TH，采用 HTSSOP-32 封装。NCV7321D11R2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 27 V、电源电压（最小值） 5 V、工作电源电压 12 V、工作电源电流 1.6 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOIC-8 封装。NCV7321D12R2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是、单件重量 0.002885 oz，采用 SOIC-8 封装。NCV7321MW2R2G
onsemi · 封装：DFN-8
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 TH、单件重量 0.006522 oz，采用 DFN-8 封装。NCV7327D10R2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 18 V、电源电压（最小值） 5 V、工作电源电压 5～18 V、数据速率 20 kb/s、工作电源电流 550 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。NCV7327MW0R2G
onsemi · 封装：DFNW-8
主要参数包括电源电压（最大值） 18 V、电源电压（最小值） 5 V、工作电源电压 5～18 V、数据速率 20 kBd、工作电源电流 6 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 DFNW-8 封装。NCV7329D10R2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 18 V、电源电压（最小值） 5 V、工作电源电压 5～18 V、数据速率 20 kb/s、类型 LIN Controller，采用 SOIC-8 封装。NCV7329MW0R2G
onsemi
主要参数包括原产国家或地区 TH。NCV7420D24R2G
onsemi · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最大值） 26 V、电源电压（最小值） 5 V、工作电源电压 12 V、工作电源电流 20 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOIC-14 封装。NCV7420D26R2G
onsemi · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最大值） 26 V、电源电压（最小值） 5 V、工作电源电压 12 V、工作电源电流 20 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOIC-14 封装。NCV7422MW0R2G
onsemi
主要参数包括原产国家或地区 TH。NCV7424DB0R2G
onsemi · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 27 V、电源电压（最小值） 5 V、工作电源电压 12 V、工作电源电流 10 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 TSSOP-16 封装。NCV7428D13R2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 28 V、电源电压（最小值） 5.5 V、工作电源电压 28 V、工作电源电流 1.8 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOIC-8 封装。NCV7428D15R2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 28 V、电源电压（最小值） 4 V、工作电源电压 28 V、类型 SBC、工作电源电流 1.8 mA，采用 SOIC-8 封装。NCV7428D1L3R2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 28 V、电源电压（最小值） 4 V、工作电源电压 28 V、类型 SBC、工作电源电流 1.8 mA，采用 SOIC-8 封装。RRT75472-DNT
Renesas Electronics · 封装：Die
主要参数包括原产国家或地区 美国，采用 Die 封装。TLIN2021ADDFRQ1
Texas Instruments · 封装：SOT-23-8
主要参数包括电源电压（最大值） 45 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 4.5～45 V、数据速率 100 kb/s、类型 LIN Transceiver、最小工作温度 - 40 C，采用 SOT-23-8 封装。TLIN1029ADRBRQ1
Texas Instruments · 封装：SON-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4 V、工作电源电压 4～36 V、工作电源电流 1 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 SON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。