DS2406P+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TSOC-6
主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.8 V、工作电源电压 2.8~6 V、类型 Addressable Switch、工作电源电流 6 uA、最小工作温度 - 40 C,采用 TSOC-6 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TSOC-6
主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.8 V、工作电源电压 2.8~6 V、类型 Addressable Switch、工作电源电流 6 uA、最小工作温度 - 40 C,采用 TSOC-6 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TSOC-6
主要参数包括电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 2.8 V、工作电源电压 2.8~5.25 V、类型 Addressable Switch、工作电源电流 70 uA、最小工作温度 0 C,采用 TSOC-6 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TSOC-6
主要参数包括类型 Addressable Switch、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、原产国家或地区 菲律宾、型号别名 DS2413P 90-2413V+000、单件重量 0.013130 oz,采用 TSOC-6 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TDFN-6
主要参数包括原产国家或地区 TH、型号别名 DS2413Q 90-2413Q+TRL,采用 TDFN-6 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TQFN-EP-20
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 Serial、数据速率 1.2 kb/s、类型 HART Modems、工作电源电流 285 uA,采用 TQFN-EP-20 封装。Analog Devices · 封装:QFN-28
主要参数包括原产国家或地区 TH、产品 Transceivers、单件重量 0.000882 oz,采用 QFN-28 封装。Analog Devices · 封装:QFN-28
主要参数包括原产国家或地区 TH、产品 Transceivers,采用 QFN-28 封装。Analog Devices · 封装:QFN-28
主要参数包括原产国家或地区 TH、产品 Transceivers、单件重量 0.000882 oz,采用 QFN-28 封装。Analog Devices · 封装:QFN-28
主要参数包括原产国家或地区 TH、产品 Transceivers,采用 QFN-28 封装。Analog Devices · 封装:QFN-28
主要参数包括原产国家或地区 TH、产品 Transceivers、单件重量 0.000882 oz,采用 QFN-28 封装。Diodes Incorporated · 封装:SMD/SMT
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾,采用 SMD/SMT 封装。Microchip Technology · 封装:BBGA-1517
采用 BBGA-1517 封装。Microchip Technology · 封装:BBGA-1932
采用 BBGA-1932 封装。Microchip Technology · 封装:BBGA-1932
主要参数包括原产国家或地区 韩国、湿敏性 是,采用 BBGA-1932 封装。NXP Semiconductors · 封装:SOICW-EP-32
主要参数包括电源电压(最大值) 26 V、电源电压(最小值) 8 V、工作电源电压 8~26 V、类型 Switch Detection Interface、输出类型 Open Drain、工作电源电流 2 mA,采用 SOICW-EP-32 封装。NXP Semiconductors · 封装:SOICW-EP-32
主要参数包括电源电压(最大值) 26 V、电源电压(最小值) 8 V、工作电源电压 8~26 V、类型 Switch Detection Interface、输出类型 Open Drain、工作电源电流 2 mA,采用 SOICW-EP-32 封装。NXP Semiconductors · 封装:SOIC-Wide-32
主要参数包括电源电压(最大值) 26 V、电源电压(最小值) 8 V、工作电源电压 8~26 V、类型 Switch Detection Interface、输出类型 Open Drain、工作电源电流 2 mA,采用 SOIC-Wide-32 封装。NXP Semiconductors · 封装:SOIC-Wide-32
主要参数包括电源电压(最大值) 26 V、电源电压(最小值) 8 V、工作电源电压 8~26 V、类型 Switch Detection Interface、输出类型 Open Drain、工作电源电流 2 mA,采用 SOIC-Wide-32 封装。NXP Semiconductors · 封装:TSSOP-16
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.62 V、工作电源电压 1.62~5.5 V、接口类型 I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C,采用 TSSOP-16 封装。NXP Semiconductors · 封装:XQFN-16
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.62 V、工作电源电压 1.62~5.5 V、接口类型 I2C、工作电源电流 128 uA、最小工作温度 - 40 C,采用 XQFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。