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型号列表

22,956 条型号记录
每页 20 条

PTN3381BBS,518

NXP Semiconductors

主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935287825518、单件重量 0.004763 oz。

ISL36411DRZ-T7

Renesas / Intersil · 封装:QFN EP

主要参数包括工作电源电压 1.2 V、电源电压(最大值) 1.3 V、电源电压(最小值) 1.1 V、数据速率 11.1 Gb/s、类型 Quad Receivers、供电类型 Analog,采用 QFN EP 封装。

DS8500-JND+T&R

Maxim Integrated · 封装:TQFN-EP-20

主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 Serial、数据速率 1.2 kb/s、类型 HART Modems、工作电源电流 285 uA,采用 TQFN-EP-20 封装。

LTC4311CSC6#TRMPBF

Analog Devices · 封装:SC70-6

主要参数包括工作电源电压 1.6~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.6 V、接口类型 I2C, SMBus、类型 I2C/SMBus Accelerator、工作电源电流 200 uA,采用 SC70-6 封装。

A5191HRTNG-XTP

ON Semiconductor · 封装:QFP-32

主要参数包括电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 HART Modems、工作电源电流 330 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QFP-32 封装。

LTC4311ISC6#TRMPBF

Analog Devices · 封装:SC70-6

主要参数包括工作电源电压 1.6~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.6 V、接口类型 I2C, SMBus、类型 I2C/SMBus Accelerator、工作电源电流 200 uA,采用 SC70-6 封装。

DS8023-RRX+T&R

Maxim Integrated

主要参数包括型号别名 90-08023+TRX DS8023。

USB3280-AEZG-TR

Microchip Technology · 封装:QFN-36 EP

主要参数包括类型 High Speed USB Device PHY、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是,采用 QFN-36 EP 封装。

TDA8026ET/C2,518

NXP Semiconductors · 封装:TFBGA-64

主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、工作电源电流 55 mA、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、耗散功率(Pd) 665 mW,采用 TFBGA-64 封装。

LTC1694CS5#TRMPBF

Analog Devices · 封装:SOT-5

主要参数包括工作电源电压 2.7~6 V、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 I2C, SMBus、类型 SMBus/I2C Accelerator、工作电源电流 60 uA,采用 SOT-5 封装。

VSC7224XJV

Microchip / Microsemi · 封装:QFN-48

主要参数包括工作电源电压 1.2 V、类型 Adaptive Channel Extenders、湿敏性 是、耗散功率(Pd) 180 mW、单件重量 0.005309 oz,采用 QFN-48 封装。

MC33975TEKR2

NXP / Freescale

主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935315721518、单件重量 0.016649 oz。

QLX4600LIQSR

Renesas / Intersil · 封装:QFN EP

主要参数包括工作电源电压 1.2 V、电源电压(最大值) 1.3 V、电源电压(最小值) 1.1 V、数据速率 6.25 Gb/s、类型 Quad Lane Extenders、供电类型 Analog,采用 QFN EP 封装。

LTC4316IDD#PBF

Analog Devices · 封装:DFN-10

主要参数包括单件重量 0.005291 oz,采用 DFN-10 封装。

LTC4311CDC#TRMPBF

Analog Devices · 封装:DFN-6

主要参数包括工作电源电压 1.6~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.6 V、接口类型 I2C, SMBus、类型 I2C/SMBus Accelerator、工作电源电流 200 uA,采用 DFN-6 封装。

ISL35111DRZ-TS

Renesas / Intersil · 封装:QFN EP

主要参数包括工作电源电压 1.2 V、电源电压(最大值) 1.3 V、电源电压(最小值) 1.1 V、数据速率 11.1 Gb/s、类型 Driver、供电类型 Analog,采用 QFN EP 封装。

LTC1694-1CS5#TRMPBF

Analog Devices · 封装:SOT-5

主要参数包括工作电源电压 2.7~6 V、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 I2C, SMBus、类型 SMBus/I2C Accelerator、工作电源电流 45 uA,采用 SOT-5 封装。

TPD7S019-15RSVR

Texas Instruments · 封装:UQFN-16

主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.001443 oz,采用 UQFN-16 封装。

LTC6820IUD#PBF

Analog Devices · 封装:QFN-16

主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 SPI、数据速率 1 Mb/s、类型 isoSPI,采用 QFN-16 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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