PI3DPX1205AZLBEX
Diodes Incorporated · 封装:TQFN-40
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、通道数 6 个通道、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C、数据速率 10 Gb/s、类型 Type-C Linear Redriver MUX,采用 TQFN-40 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Diodes Incorporated · 封装:TQFN-40
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、通道数 6 个通道、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C、数据速率 10 Gb/s、类型 Type-C Linear Redriver MUX,采用 TQFN-40 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、通道数 2 个通道、工作电源电压 2.9~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.9 V、接口类型 I2C, SMBus,采用 MSOP-8 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-30
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、产品 Redrivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TQFN-30 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、通道数 2 个通道、工作电源电压 2.9~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.9 V、接口类型 I2C, SMBus,采用 MSOP-8 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 600 kHz、通道数 2 个通道、工作电源电压 2.3~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.3 V、接口类型 I2C, SMBus,采用 MSOP-8 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、通道数 2 个通道、工作电源电压 1.4~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.4 V、接口类型 I2C, SMBus,采用 MSOP-8 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 600 kHz、通道数 2 个通道、工作电源电压 2.3~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.3 V、接口类型 I2C, SMBus,采用 MSOP-8 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、通道数 2 个通道、工作电源电压 2.7~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 I2C, SMBus,采用 MSOP-8 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 600 kHz、通道数 2 个通道、工作电源电压 2.7~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 I2C, SMBus,采用 MSOP-8 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-12
采用 MSOP-12 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-12
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、通道数 2 个通道、工作电源电压 2.9~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.9 V、接口类型 I2C, SMBus,采用 MSOP-12 封装。Analog Devices · 封装:DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 600 kHz、通道数 2 个通道、工作电源电压 2.3~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.3 V、接口类型 I2C, SMBus,采用 DFN-8 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-8
采用 MSOP-8 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-8
采用 MSOP-8 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、通道数 2 个通道、工作电源电压 2.7~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 I2C, SMBus,采用 MSOP-8 封装。Diodes Incorporated · 封装:UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 Serial,采用 UDFN-8 封装。NXP Semiconductors · 封装:XQFN-8
主要参数包括类型 I2C, SMBus、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、耗散功率(Pd) 100 mW、型号别名 935296415125、单件重量 0.000123 oz,采用 XQFN-8 封装。NXP Semiconductors · 封装:XQFN-8
主要参数包括类型 I2C, SMBus、传播延迟时间 180 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、工作电源电流 950 uA、耗散功率(Pd) 100 mW,采用 XQFN-8 封装。NXP Semiconductors · 封装:TSSOP-8
主要参数包括类型 I2C, SMBus、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、耗散功率(Pd) 100 mW、型号别名 935296416118、单件重量 0.001046 oz,采用 TSSOP-8 封装。Renesas / Intersil · 封装:TDFN-EP-8
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、单件重量 0.000776 oz,采用 TDFN-EP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。