SN65HVD234DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～3.6 V、数据速率 1 Mb/s、类型 CAN Controller、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。接口与通信
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型号列表
22,956 条型号记录SN65HVD251DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、类型 CAN Controller、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。SN65HVD230DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～3.6 V、数据速率 1 Mb/s、类型 CAN Controller、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。PCA82C251T/YM,118
NXP Semiconductors · 封装：SO-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、数据速率 1 Mb/s、类型 CAN Controller、最小工作温度 - 40 C，采用 SO-8 封装。TJA1043T,118
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-14
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、类型 High Speed、工作电源电流 48 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-14 封装。TJA1050T/CM,118
NXP Semiconductors · 封装：SO-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 4.75～5.25 V、数据速率 500 kb/s、类型 High Speed、工作电源电流 5 mA，采用 SO-8 封装。SN65HVD233DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～3.6 V、数据速率 1 Mb/s、类型 CAN Controller、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。TJA1051TK/3,118
NXP Semiconductors · 封装：HVSON-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 4.5～5 V、接口类型 CAN、数据速率 5 Mb/s、类型 High Speed，采用 HVSON-8 封装。HVDA541QDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.33 V、电源电压（最小值） 4.68 V、工作电源电压 4.68～5.33 V、数据速率 1 Mb/s、类型 CAN Controller、工作电源电流 50 mA，采用 SOIC-8 封装。SN65HVD230QDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、数据速率 1 Mb/s、类型 CAN Controller、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。NCV7342D13R2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、单件重量 0.002882 oz，采用 SOIC-8 封装。TJA1044T,118
NXP Semiconductors · 封装：SO-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 4.75～5.25 V、数据速率 5 Mb/s、类型 High Speed，采用 SO-8 封装。TLE6251DXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 SP000836844 TLE6251D TLE6251DXT，采用 SOIC-8 封装。TLE8250GVIOXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 SP000691818 TLE8250GVIO TLE825GVIOXT，采用 SOIC-8 封装。L9616
STMicroelectronics · 封装：SO
该型号为接口集成电路，主要参数包括工作电源电压 - 0.3 V to + 7 V、数据速率 1 Mb/s、类型 High Speed、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、产品 CAN Transceivers，采用 SO 封装。L9615D013TR
STMicroelectronics · 封装：SO
该型号为接口集成电路，主要参数包括数据速率 500 kb/s、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 110 C、产品 CAN Transceivers、湿敏性 是、收发器数 1，采用 SO 封装。TLE8250G
Infineon Technologies · 封装：PG-DSO-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 4.75～5.25 V、类型 High Speed、认证等级 AEC-Q100、产品 CAN Transceivers，采用 PG-DSO-8 封装。TLE6250GXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 SP000316311 TLE6250G TLE625GXT、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。TJA1051T,112
NXP Semiconductors · 封装：SO-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 4.5～5 V、接口类型 CAN、数据速率 5 Mb/s、类型 High Speed，采用 SO-8 封装。AMIS42670ICAH2RG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作电源电压 4.75～5.25 V、接口类型 CAN、数据速率 1 Mb/s、类型 High Speed，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。