DS100BR410SQE/NOPB
Texas Instruments · 封装:WQFN-48
主要参数包括工作电源电压 2.5 V、接口类型 CML、产品 Repeaters、传播延迟时间 240 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 WQFN-48 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:WQFN-48
主要参数包括工作电源电压 2.5 V、接口类型 CML、产品 Repeaters、传播延迟时间 240 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 WQFN-48 封装。Texas Instruments · 封装:WQFN-54
主要参数包括最大时钟频率 520 kHz、工作电源电压 3.3 V, 2.5 V、产品 Repeaters、传播延迟时间 200 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 WQFN-54 封装。Texas Instruments · 封装:WQFN-48
主要参数包括工作电源电压 2.5 V、接口类型 I2C Bus, SMBus、类型 I2C, SMBus、产品 Retimers、传播延迟时间 300 ps、最小工作温度 - 40 C,采用 WQFN-48 封装。IDT · 封装:VFQFPN-36
主要参数包括产品 Repeaters、湿敏性 是、型号别名 89HP0604QB IDT89HP0604QBZBNRGI,采用 VFQFPN-36 封装。IDT · 封装:CABGA-100
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 89HP0504P IDT89HP0504PZBABGI,采用 CABGA-100 封装。Maxim Integrated · 封装:TQFN-36
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、型号别名 MAX4950、单件重量 0.003247 oz,采用 TQFN-36 封装。Texas Instruments · 封装:VSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.001058 oz,采用 VSSOP-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。NXP Semiconductors · 封装:HWSON-8
主要参数包括耗散功率(Pd) 100 mW、型号别名 935297714147、单件重量 0.000436 oz,采用 HWSON-8 封装。NXP Semiconductors · 封装:SO-8
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、类型 Voltage Level Translators、传播延迟时间 70 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SO-8 封装。NXP Semiconductors · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、工作电源电压 3~3.6 V、输出电流 50 mA、接口类型 I2C, SMBus、类型 I2C, SMBus、产品 Repeaters,采用 TSSOP-8 封装。NXP Semiconductors · 封装:SO-8
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、类型 Voltage Level Translators、传播延迟时间 170 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SO-8 封装。NXP Semiconductors · 封装:TSSOP-8
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、类型 Voltage Level Translators、传播延迟时间 70 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TSSOP-8 封装。Texas Instruments · 封装:VSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、工作电源电压 2.3~3.6 V、输出电流 6 mA、接口类型 I2C Bus, SMBus、类型 I2C, SMBus、产品 Repeaters,采用 VSSOP-8 封装。NXP Semiconductors · 封装:TSSOP-8
主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、输出电流 50 mA、类型 2-Wire Bus、产品 Buffers、传播延迟时间 218 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-8 封装。NXP Semiconductors · 封装:SO-8
主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、输出电流 50 mA、类型 2-Wire Bus、产品 Buffers、传播延迟时间 218 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 SO-8 封装。NXP Semiconductors · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、工作电源电压 4.5~12 V、输出电流 60 mA、类型 I2C Bus、产品 Buffers、传播延迟时间 250 ns,采用 SOIC-8 封装。NXP Semiconductors · 封装:SOT-96
主要参数包括工作电源电压 4.5~12 V、输出电流 60 mA、类型 I2C Bus、产品 Buffers、传播延迟时间 250 ns、最小工作温度 - 40 C,采用 SOT-96 封装。Texas Instruments · 封装:WSON-10
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、应用 SATA / SAS、湿敏性 是、工作电源电流 45 mA,采用 WSON-10 封装。NXP Semiconductors · 封装:TSSOP-10
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、型号别名 935298545118、单件重量 0.000830 oz,采用 TSSOP-10 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。