NCT5635Y
Nuvoton
Interface - I/O Expanders SMBus-GPIO Expander; 16 GPIO pins, 2.7-5.5V按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Nuvoton
Interface - I/O Expanders SMBus-GPIO Expander; 16 GPIO pins, 2.7-5.5VNuvoton · 封装:TSSOP-24
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、输入/输出数 16 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.3~5.5 V、接口类型 I2C, Serial, SMBus,采用 TSSOP-24 封装。Nuvoton · 封装:QFN-24
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、输入/输出数 16 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.3~5.5 V、接口类型 I2C, Serial, SMBus,采用 QFN-24 封装。Nuvoton · 封装:SSOP-20
主要参数包括电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 I2C, Serial, SMBus、输出类型 Open Drain、类型 General Purpose,采用 SSOP-20 封装。Nuvoton · 封装:SSOP-20
主要参数包括电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 I2C, Serial, SMBus、输出类型 Open Drain、类型 General Purpose,采用 SSOP-20 封装。Nuvoton · 封装:SOP-14
主要参数包括输入/输出数 8 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 I2C, Serial, SMBus、输出类型 Open Drain, Push Pull,采用 SOP-14 封装。Apogee Semiconductor · 封装:TSSOP-28
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz, 25 MHz、输入/输出数 16 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.65~5.5 V、输出电流 25 mA,采用 TSSOP-28 封装。Apogee Semiconductor · 封装:TSSOP-28
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz, 25 MHz、输入/输出数 16 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.65~5.5 V、输出电流 25 mA,采用 TSSOP-28 封装。Apogee Semiconductor · 封装:TSSOP-28
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz, 25 MHz、输入/输出数 16 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.65~5.5 V、输出电流 25 mA,采用 TSSOP-28 封装。Apogee Semiconductor · 封装:TSSOP-28
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz, 25 MHz、输入/输出数 16 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.65~5.5 V、输出电流 25 mA,采用 TSSOP-28 封装。Diodes Incorporated · 封装:TSSOP-24
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、输入/输出数 16 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.65~5.5 V、接口类型 I2C, Serial,采用 TSSOP-24 封装。Diodes Incorporated · 封装:TSSOP-24
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾,采用 TSSOP-24 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-24
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、输入/输出数 16 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.65~5.5 V、输出电流 50 mA,采用 TQFN-24 封装。Diodes Incorporated · 封装:TSSOP-24
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、输入/输出数 16 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 I2C, Serial、中断输出 With Interrupt,采用 TSSOP-24 封装。Diodes Incorporated · 封装:TSSOP-24
主要参数包括电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出类型 Open-Drain, Push-Pull、类型 Voltage Level Translator、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C,采用 TSSOP-24 封装。Diodes Incorporated · 封装:WQFN5050-32
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、输入/输出数 24 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.65~5.5 V、接口类型 I2C, Serial,采用 WQFN5050-32 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-46
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、输入/输出数 28 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 I2C, Serial、中断输出 With Interrupt,采用 TQFN-46 封装。Diodes Incorporated · 封装:MSOP-10
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾,采用 MSOP-10 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-16
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、输入/输出数 8 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.3~5.5 V、输出电流 24 mA,采用 TQFN-16 封装。Diodes Incorporated · 封装:TSSOP-16
主要参数包括原产国家或地区 中国,采用 TSSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。