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Microchip Technology · 封装:QFN-48
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 1.26 V, 1.89 V, 2.625 V, 3.465 V、接口类型 RGMII、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s、产品 Ethernet Transceivers、标准 10/1GBASE-T, 100BASE-TX,采用 QFN-48 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip Technology · 封装:QFN-48
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 1.26 V, 1.89 V, 2.625 V, 3.465 V、接口类型 RGMII、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s、产品 Ethernet Transceivers、标准 10/1GBASE-T, 100BASE-TX,采用 QFN-48 封装。Microchip Technology · 封装:QFN-48
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.38 V、接口类型 MDI, MDI-X, RGMII、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s、产品 Ethernet Transceivers、标准 10/1GBASE-T, 100BASE-TX,采用 QFN-48 封装。Microchip Technology · 封装:QFN-48
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 1.26 V, 1.89 V, 2.625 V, 3.465 V、接口类型 MDI, MDI-X, RGMII、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s、产品 Ethernet Transceivers、标准 10/1GBASE-T, 100BASE-TX,采用 QFN-48 封装。Microchip Technology · 封装:QFN-48
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.38 V、接口类型 MDI, MDI-X, RGMII、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s、产品 Ethernet Transceivers、标准 10/1GBASE-T, 100BASE-TX,采用 QFN-48 封装。Microchip Technology · 封装:QFN-48
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.38 V、接口类型 MDI, MDI-X, RGMII、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s、产品 Ethernet Transceivers、标准 10/1GBASE-T, 100BASE-TX,采用 QFN-48 封装。Microchip Technology · 封装:VQFN-64
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压(最大值) 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、接口类型 I2C, MII, RGMII, RMII, SPI、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s、产品 Ethernet Switches、标准 10/1GBASE-T, 100BASE-TX,采用 VQFN-64 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-256
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 855 mV、电源电压(最大值) 945 mV、接口类型 MDIO, SPI、数据速率 1.25 Gb/s, 10.3125 Gb/s、产品 Optical Ethernet PHY Transceiver、标准 1G/10G,采用 BGA-256 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-256
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 855 mV、电源电压(最大值) 945 mV、接口类型 MDIO, SPI、数据速率 1.25 Gb/s, 10.3125 Gb/s、产品 Optical Ethernet PHY Transceiver、标准 10GBASE-KR, 1000BASE-KX,采用 BGA-256 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-256
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 855 mV、电源电压(最大值) 945 mV、接口类型 MDIO, SPI、数据速率 1.25 Gb/s, 10.3125 Gb/s、产品 Optical Ethernet PHY Transceiver、标准 10GBASE-KR, 1000BASE-KX,采用 BGA-256 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-256
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 855 mV、电源电压(最大值) 945 mV、接口类型 MDIO, SPI、数据速率 1.25 Gb/s, 10.3125 Gb/s、产品 Optical Ethernet PHY Transceiver、标准 10GBASE-KR , 1000BASE-KX,采用 BGA-256 封装。Microchip Technology · 封装:VQFN-32
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、接口类型 SPI、数据速率 10 Mb/s、产品 Ethernet PHYs、标准 10BASE-T1S,采用 VQFN-32 封装。Microchip Technology · 封装:VQFN-32
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、接口类型 SPI、数据速率 10 Mb/s、产品 Ethernet PHYs、标准 10BASE-T1S,采用 VQFN-32 封装。Microchip Technology · 封装:VQFN-32
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、接口类型 SPI、数据速率 10 Mb/s、产品 Ethernet PHYs、标准 10BASE-T1S,采用 VQFN-32 封装。Microchip Technology · 封装:VQFN-32
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、接口类型 SPI、数据速率 10 Mb/s、产品 Ethernet PHYs、标准 10BASE-T1S,采用 VQFN-32 封装。Microchip Technology · 封装:VQFN-32
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 3.135~3.465 V、接口类型 RMII、数据速率 10 Mb/s、产品 Ethernet PHYs,采用 VQFN-32 封装。Microchip Technology · 封装:VQFN-32
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 3.135~3.465 V、接口类型 RMII、数据速率 10 Mb/s、产品 Ethernet PHYs,采用 VQFN-32 封装。Microchip Technology · 封装:VQFN-32
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、接口类型 MII, RMII, SC-MII、数据速率 10 Mb/s、产品 Ethernet PHY Transceiver、标准 10BASE-T1S,采用 VQFN-32 封装。Microchip Technology · 封装:QFN-64
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、接口类型 8 bit/16 bit, GPIO, MDI, MDI-X, SPI、数据速率 100 Mb/s、产品 Ethernet Controllers、标准 100BASE-TX、收发器数 2 Transceiver,采用 QFN-64 封装。Microchip Technology · 封装:QFN-64
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、接口类型 8 bit/16 bit, GPIO, MDI, MDI-X, SPI、数据速率 100 Mb/s、产品 Ethernet Controllers、标准 100BASE-TX、收发器数 2 Transceiver,采用 QFN-64 封装。Microchip Technology · 封装:QFN-64
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3.3 V、接口类型 8 bit/16 bit, GPIO, MDI, MDI-X, SPI、数据速率 100 Mb/s、产品 Ethernet Controllers、标准 100BASE-TX、收发器数 2 Transceiver,采用 QFN-64 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。