SLG55546V
Dialog Semiconductor · 封装:TQFN-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、产品 USB Charging Port Power Switch and Controllers、导通时间(最大值) 100 us, 4 ms、关断时间(最大值) 5 us, 3 ms,采用 TQFN-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Dialog Semiconductor · 封装:TQFN-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、产品 USB Charging Port Power Switch and Controllers、导通时间(最大值) 100 us, 4 ms、关断时间(最大值) 5 us, 3 ms,采用 TQFN-16 封装。Dialog Semiconductor · 封装:TDFN-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、产品 USB Host Charger Identification Analog Switches、导通电阻(最大值) 7 Ω、导通时间(最大值) 100 us,采用 TDFN-8 封装。Dialog Semiconductor · 封装:TDFN-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、产品 USB Host Charger Identification Analog Switches、导通电阻(最大值) 7 Ω、导通时间(最大值) 100 us,采用 TDFN-8 封装。Dialog Semiconductor · 封装:TDFN-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、产品 USB Host Charger Identification Analog Switches、导通电阻(最大值) 7 Ω、导通时间(最大值) 100 us,采用 TDFN-8 封装。Dialog Semiconductor · 封装:TDFN-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、产品 USB Host Charger Identification Analog Switches、导通电阻(最大值) 7 Ω、导通时间(最大值) 100 us,采用 TDFN-8 封装。Renesas / Intersil · 封装:TDFN-12 EP
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压(最大值) 4.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、产品 USB 2.0, Audio Multiplexers、配置 2 x 3:1、导通电阻(最大值) 8 Ω,采用 TDFN-12 EP 封装。Monolithic Power Systems (MPS) · 封装:QFN-10
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.6~14 V、电源电压(最大值) 14 V、电源电压(最小值) 3.6 V、产品 USB 3.0 Type-C、配置 1 x 1:1、导通电阻(最大值) 40 mOhms,采用 QFN-10 封装。Texas Instruments · 封装:DSBGA-25
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.7 V, 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V, 7 V、电源电压(最小值) 2.5 V, 3.5 V、产品 USB 2.0, Audio, UART Multiplexers、配置 2 x 3:1、导通电阻(最大值) 6 Ω,采用 DSBGA-25 封装。Diodes Incorporated · 封装:TQFN-32
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、产品 USB 3.0/2.0 Multiplexers/Demultiplexers、配置 4 x 2:1、导通电阻(最大值) 13 Ω,采用 TQFN-32 封装。Texas Instruments · 封装:DSBGA-25
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.7 V, 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V, 7 V、电源电压(最小值) 2.5 V, 3.5 V、产品 USB 2.0, Audio, UART Multiplexers、配置 2 x 3:1、导通电阻(最大值) 6 Ω,采用 DSBGA-25 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:MicroPak-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 4.3 V、电源电压(最小值) 3 V、产品 USB 2.0 Switches、配置 1 x DPST、导通电阻(最大值) 6.5 Ω,采用 MicroPak-8 封装。DIOO Microcircuits · 封装:TQFN-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.7~4.4 V、电源电压(最大值) 4.4 V、电源电压(最小值) 2.7 V、产品 USB 2.0 Switches、配置 2 x SP3T、导通电阻(最大值) 3.5 Ω,采用 TQFN-16 封装。DIOO Microcircuits · 封装:QFN-10
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.7~5.25 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 2.7 V、产品 USB 2.0 Switches、配置 2 x SPDT、导通电阻(最大值) 4 Ω,采用 QFN-10 封装。DIOO Microcircuits · 封装:MSOP-10
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.7~5.25 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 2.7 V、产品 USB 2.0 Switches、配置 2 x SPDT、导通电阻(最大值) 4 Ω,采用 MSOP-10 封装。DIOO Microcircuits · 封装:QFN-10
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~4.3 V、电源电压(最大值) 4.3 V、电源电压(最小值) 2.3 V、产品 USB Switches、配置 2 x SPDT、导通电阻(最大值) 3.6 Ω,采用 QFN-10 封装。DIOO Microcircuits · 封装:MSOP-10
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~4.3 V、电源电压(最大值) 4.3 V、电源电压(最小值) 2.3 V、产品 USB Switches、配置 2 x SPDT、导通电阻(最大值) 3.6 Ω,采用 MSOP-10 封装。DIOO Microcircuits · 封装:MSOP-10
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.7~4.3 V、电源电压(最大值) 4.3 V、电源电压(最小值) 2.7 V、产品 USB 2.0 Switches、配置 2 x SPDT、导通电阻(最大值) 6 Ω,采用 MSOP-10 封装。DIOO Microcircuits · 封装:DQFN-10
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.7~5.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、产品 USB 2.0 Switches、配置 DPST、导通电阻(最大值) 1.6 Ω,采用 DQFN-10 封装。DIOO Microcircuits · 封装:QFN-10
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.3~4.3 V、电源电压(最大值) 4.3 V、电源电压(最小值) 2.7 V、产品 USB 2.0 Switches、配置 2 x SPDT、导通电阻(最大值) 6 Ω,采用 QFN-10 封装。DIOO Microcircuits · 封装:DQFN-10
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.7~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、产品 USB Switches、配置 2 x SPDT、导通电阻(最大值) 8 Ω,采用 DQFN-10 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。