KSZ8895RQXI
Microchip Technology / Micrel · 封装：PQFP-128
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.2 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.14 V、接口类型 RMII、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s、产品 Ethernet Switches，采用 PQFP-128 封装。接口与通信
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型号列表
22,956 条型号记录DP83822IFRHBT
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 1.71 V、接口类型 MII, RGMII, RMII、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s、产品 Physical Layer Transceivers，采用 VQFN-32 封装。BCM54210EB1IMLG
Broadcom · 封装：-
该型号为集成电路，主要参数包括接口类型 RGMII、数据速率 10 Gb/s, 100 Gb/s, 1000 Gb/s、产品 Physical Layer Transceivers、收发器数 1 Transceiver、湿敏性 是、标准 10BASE-T, 100BASE-TX, 1000BASE-T，采用 - 封装。DP83822IFRHBR
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 1.71 V、接口类型 MII, RGMII, RMII、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s、产品 Physical Layer Transceivers，采用 VQFN-32 封装。BCM89610A2BMLG
Broadcom · 封装：MLP-48
该型号为集成电路，主要参数包括接口类型 MII, RGMII、数据速率 10 Gb/s, 100 Gb/s, 1000 Gb/s、产品 Physical Layer Transceivers、收发器数 1 Transceiver、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是，采用 MLP-48 封装。KSZ8567RTXI
Microchip Technology · 封装：TQFP-EP-128
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.3 V、电源电压（最小值） 1.8 V、接口类型 I2C, MII, RGMII, RMII, SPI、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s、产品 Ethernet Switches，采用 TQFP-EP-128 封装。KSZ9897STXI
Microchip Technology · 封装：TQFP-EP-128
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.14 V、接口类型 I2C, MII, RGMII, RMII, SGMII, SPI、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s、产品 Ethernet Switches，采用 TQFP-EP-128 封装。KSZ9567RTXI
Microchip Technology · 封装：TQFP-EP-128
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.14 V、接口类型 I2C, MII, RGMII, RMII, SPI、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s、产品 Ethernet Switches，采用 TQFP-EP-128 封装。DP83822HFRHBR
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 1.71 V、接口类型 MII, RGMII, RMII、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s、产品 Physical Layer Transceivers，采用 VQFN-32 封装。KSZ9896CTXI
Microchip Technology · 封装：TQFP-EP-128
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.14 V、接口类型 I2C, GMII, MII, RGMII, RMII, SPI、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s, 1000 Mb/s、产品 Ethernet Switches，采用 TQFP-EP-128 封装。KSZ9897RTXI-TR
Microchip Technology · 封装：TQFP-128
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.14 V、接口类型 I2C, MII, RGMII, RMII, SPI、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s, 1000 Mb/s、产品 Ethernet Switches，采用 TQFP-128 封装。BCM54610C1KMLG
Broadcom
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 1 Gb/s、产品 Physical Layer Transceivers、湿敏性 是。88E1543-A1-LKJ2C000
Marvell · 封装：LQFP-128
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1 V、电源电压（最大值） 1.05 V、电源电压（最小值） 0.95 V、接口类型 SGMII、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s, 1000 Mb/s、产品 Ethernet Transceivers，采用 LQFP-128 封装。BCM89811B1AWMLG
Broadcom · 封装：-
该型号为集成电路，主要参数包括数据速率 100 Mb/s、产品 Physical Layer Transceivers、收发器数 1 Transceiver、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是，采用 - 封装。LAN8710AI-EZK-ABC
Microchip Technology · 封装：SQFN-32
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.08 V、接口类型 MII, RMII, SMI、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s、产品 Ethernet Transceivers，采用 SQFN-32 封装。DP83822HFRHBT
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 1.71 V、接口类型 MII, RGMII, RMII、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s、产品 Physical Layer Transceivers，采用 VQFN-32 封装。DP83822HRHBR
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 1.71 V、接口类型 MII, RGMII, RMII、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s、产品 Physical Layer Transceivers，采用 VQFN-32 封装。KSZ8851SNLI
Microchip Technology · 封装：QFN-32
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.5 V、电源电压（最小值） 3.1 V、接口类型 SPI、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s、产品 Ethernet Controllers，采用 QFN-32 封装。KSZ9897RTXC
Microchip Technology · 封装：TQFP-128
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.14 V、接口类型 I2C, MII, RGMII, RMII, SPI、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s, 1000 Mb/s、产品 Ethernet Switches，采用 TQFP-128 封装。KSZ9897RTXI
Microchip Technology · 封装：TQFP-EP-128
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.14 V、接口类型 I2C, MII, RGMII, RMII, SPI、数据速率 10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s、产品 Ethernet Switches，采用 TQFP-EP-128 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。