695-6
Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)分立与功率器件
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
199,570 条型号记录MP158W
Rectron · 封装：MP-15W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 MP-15W 封装。DB153S
Rectron
Bridge Rectifiers DIP,Bridge,SM,GP DB-S,1.5A,200VCBR1-D060
Central Semiconductor · 封装：DIP
主要参数包括正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 600 V、型号别名 CBR1-D060 TIN/LEAD，采用 DIP 封装。DB152
Rectron · 封装：$0.168
采用 $0.168 封装。683-5
Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)MD2S
Rectron · 封装：Single Phase Bridge
主要参数包括型号别名 MD2S-T，采用 Single Phase Bridge 封装。RS806M
Rectron · 封装：RS-8M
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 200 A，采用 RS-8M 封装。MD1S
Rectron · 封装：Single Phase Bridge
采用 Single Phase Bridge 封装。MP2510W
Rectron · 封装：MP-25W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 MP-25W 封装。DB1012S
Rectron
Bridge Rectifiers DIP,Bridge,SM,GP DB-S,1A,1200VRBU806M
Rectron · 封装：RBU
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 RBU 封装。684-2
Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)RS106
Rectron · 封装：RS-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 RS-1 封装。695-2
Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)BR152
Rectron · 封装：BR-15
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BR-15 封装。679-1
Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)RBU807M
Rectron · 封装：RBU
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 RBU 封装。684-6
Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)MP1510W
Rectron · 封装：MP-15W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 MP-15W 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。