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Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)Rectron · 封装:DBS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 40 A,采用 DBS 封装。Rectron · 封装:RS-10M
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 RS-10M 封装。Rectron · 封装:RS-1
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 30 A,采用 RS-1 封装。Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)Rectron · 封装:MP-35W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 400 A,采用 MP-35W 封装。Rectron · 封装:RS-8
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.2 V、最大浪涌电流 250 A,采用 RS-8 封装。Rectron · 封装:BR-8
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 125 A,采用 BR-8 封装。Rectron
Bridge Rectifiers DIP,Bridge,SM,GP DB-S,1.5A,600VMicrochip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)Rectron · 封装:BR-25
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 BR-25 封装。Rectron · 封装:MB-F
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 500 mA、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 27.3 A,采用 MB-F 封装。Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)Rectron · 封装:BR-25
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C,采用 BR-25 封装。Microchip / Microsemi · 封装:MD-4
采用 MD-4 封装。Microchip / Microsemi
Bridge Rectifiers Modules (MM)Rectron · 封装:RS-6M
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 RS-6M 封装。Rectron · 封装:RBU
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 150 A,采用 RBU 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。