芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

TS15PL06GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.93 V、最大浪涌电流 630 A，采用 TS-6P-4 封装。

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DBLS157G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。

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DBLS205G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。

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DBLS209G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。

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DBLS206G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。

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EABS1G RGG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。

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TS15PL05G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.9 V、最大浪涌电流 630 A，采用 TS-6P-4 封装。

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TS15PL06G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.93 V、最大浪涌电流 630 A，采用 TS-6P-4 封装。

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HDBLS106G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。

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TS15PL05G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 7.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.9 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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TS15PL06G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 7.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.93 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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RDBLS207G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。

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EABS1DHRGG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 ABS-4 封装。

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EABS1D RGG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。

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TS25PL06G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 12.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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TS25PL05G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 12.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.87 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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TS25PL06G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 300 A，采用 TS-6P-4 封装。

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TS25PL05G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.87 V、最大浪涌电流 300 A，采用 TS-6P-4 封装。

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MBS10-K RCG

Taiwan Semiconductor · 封装：MBS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 10 V、最大浪涌电流 35 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MBS-4 封装。

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MBS8-K RCG

Taiwan Semiconductor · 封装：MBS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 10 V、最大浪涌电流 35 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MBS-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。