GBP402
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V，采用 GBP-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录HDBL106GHC1G
Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。HDBL103GHC1G
Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。HDBL105GHC1G
Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。HDBL102GHC1G
Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。TS50P07GHD2G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS6P-4 封装。TS50P05GHD2G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS6P-4 封装。GBJ30D
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 5.2 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 420 A，采用 GBJ-4 封装。GBJ30M
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 5.2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 420 A，采用 GBJ-4 封装。GBJ30K
GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 5.2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 420 A，采用 GBJ-4 封装。ABS6-T REG
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。GBU15L05 D2G
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 7.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.87 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。KBJ2502G
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ 封装。GBU15L05 D2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.87 V、最大浪涌电流 630 A，采用 GBU-4 封装。GBU15L05HD2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.87 V、最大浪涌电流 630 A，采用 GBU-4 封装。ABS10-K REG
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。ABS6-K REG
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。ABS8-K REG
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。ABS10-T REG
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。TS15PL05GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.9 V、最大浪涌电流 630 A，采用 TS-6P-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。