2N3393
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 mA，采用 TO-92-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC237B
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。2N5232A
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 125 mV，采用 TO-92-3 封装。MAT14ARZ
Analog Devices · 封装：SOIC-14
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、集电极－发射极饱和电压 60 mV、最大直流集电极电流 30 mA，采用 SOIC-14 封装。MJ15023G
ON Semiconductor · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V，采用 TO-204-2 封装。MJ21194G
ON Semiconductor · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V，采用 TO-204-2 封装。BC546A
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。MJ15022G
ON Semiconductor · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V，采用 TO-204-2 封装。MJ21195G
ON Semiconductor · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V，采用 TO-204-2 封装。MJ15015G
ON Semiconductor · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1.1 V，采用 TO-204-2 封装。2N3055AG
ON Semiconductor · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1.1 V，采用 TO-204-2 封装。BC212B
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。2SA1943RTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-264-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 230 V、集电极－基极电压（VCBO） 230 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 17 A，采用 TO-264-3 封装。MJ15016G
ON Semiconductor · 封装：TO-204-2
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1.1 V，采用 TO-204-2 封装。MJL21195G
ON Semiconductor · 封装：TO-264-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 16 A，采用 TO-264-3 封装。MJW21195G
ON Semiconductor · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-247-3 封装。MJW21193G
ON Semiconductor · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V，采用 TO-247-3 封装。MJW21196G
ON Semiconductor · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-247-3 封装。NJW21194G
ON Semiconductor · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V，采用 TO-3P-3 封装。BU508AF
STMicroelectronics · 封装：ISOWATT-218FX-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 700 V、集电极－基极电压（VCBO） 9 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、最大直流集电极电流 8 A，采用 ISOWATT-218FX-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。