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分立与功率器件

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199,570 条型号记录
每页 20 条

DBLS205G-T RDG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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DBLS207G-T RDG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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DBLS204G-T RDG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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DBLS206G-T RDG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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TS10KL60HD3G

Taiwan Semiconductor · 封装：KBJL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 180 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJL-4 封装。
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TS35P05G C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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TS35P06G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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TS25P05GHD2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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ABS15LJ RGG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1,5A,600V,GLASS PASSIVATED,LOW VF THIN MINI BRIDGE RECT.
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TS35P06GHC2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。
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TS40P05GHC2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 TS-6P-4 封装。
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