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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

TS25P01G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。
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ABS15LJ REG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.9 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
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TS25P04GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。
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TS25P03GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。
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TS25P01GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。
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TS25P02GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。
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TS25P01G C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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TS25P03G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。
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TS25P02G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。
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TS35P06G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。
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EABS1DHREG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
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DBL206G C1G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 2A,800V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.
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KBPF404G C8G

Taiwan Semiconductor · 封装：KBPF-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBPF-4 封装。
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KBPF407G C8G

Taiwan Semiconductor · 封装：KBPF-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBPF-4 封装。
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KBPF406G C8G

Taiwan Semiconductor · 封装：KBPF-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBPF-4 封装。
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KBPF405G C8G

Taiwan Semiconductor · 封装：KBPF-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBPF-4 封装。
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DBLS156G-T RDG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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