KBPF305G C8G
Taiwan Semiconductor · 封装：KBPF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBPF-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录KBPF304G C8G
Taiwan Semiconductor · 封装：KBPF-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBPF-4 封装。TS8P07GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。ABS15J RG
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 40 A、长度 4.1 mm，采用 ABS 封装。ABS15J RE
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 40 A、长度 4.1 mm，采用 ABS 封装。ABS15M RE
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、最大浪涌电流 40 A、长度 4.1 mm，采用 ABS 封装。TS8P06GHD2G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS8P05GHD2G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS8P02GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS8P01GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS10KL80 D3G
Taiwan Semiconductor · 封装：KBJL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 180 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJL-4 封装。DBL157G C1G
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 1.5A,1000V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.DBL203G C1G
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 2A,200V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.DBL153G C1G
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 1.5A,200V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.DBL159G C1G
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 1.5A,1400V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.DBL158G C1G
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 1.5A,1200V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.DBL204G C1G
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 2A,400V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.EABS1G REG
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。EABS1J REG
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。TS20P06GHD2G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。