芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

DBL156G-T CBG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 DBL-4 封装。

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DBL155G-T CBG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。

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TS6KL80 D3G

Taiwan Semiconductor · 封装：KBJL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJL-4 封装。

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TS6KL100 D3

Taiwan Semiconductor · 封装：KBJL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJL-4 封装。

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TS20P06G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A，采用 TS-6P-4 封装。

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TS20P01G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A，采用 TS-6P-4 封装。

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TS20P04G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A，采用 TS-6P-4 封装。

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TS15P05G-K C7

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 7.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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TS15P07G-K C7

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 7.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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TS15P06G-K C7

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 7.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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GBU805-K D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。

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DBL154G-T CBG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。

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DBL105GHC1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。

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DBL101GHC1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。

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DBL104GHC1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。

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DBL106GHC1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。

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TS10P06G-K C7

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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TS10P05G-K C7

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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TS10P07G-K C7

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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TS8P01G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。