HDBLS102G RD
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录HDBLS107G RD
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。HDBLS106G RD
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。TSS4B04GHD2G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。TSS4B03GHD2G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。TSS4B02GHC2G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。DBL106G C1G
Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。DBL101G C1G
Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。DBL103G C1G
Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。HDBLS102GHRD
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。GBPC35010W
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000 V - 35 ATS8P06GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS8P05GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS8P01G D2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS10P03G C2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS10P06G D2G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS10P07G D2G
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS10P01G C2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。HDBLS106GHRD
Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。DBL204G-T CBG
Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。