SS8050-G
Comchip Technology · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录MPS650
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 TO-92-3 封装。MD2310FX
STMicroelectronics · 封装：ISOWATT-218FX-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 700 V、集电极－基极电压（VCBO） 1500 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、最大直流集电极电流 14 A，采用 ISOWATT-218FX-3 封装。FJA4310OTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-3P-3 封装。BU406
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-220-3 封装。2N4920
Central Semiconductor · 封装：TO-126
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-126 封装。TIP35CG
ON Semiconductor · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V，采用 TO-247-3 封装。2N4923
Central Semiconductor · 封装：TO-126
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-126 封装。TIP42
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。PN2369A
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 TO-92-3 封装。2N6517
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N6517 PBFREE、单件重量 0.007266 oz，采用 TO-92-3 封装。TIP32B
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。BC337-25
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。2N3392
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 mA，采用 TO-92-3 封装。BC556B
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、单件重量 0.007654 oz，采用 TO-92-3 封装。BC327-25
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。2N4058
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92-3 封装。MPS651
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。2N3905
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 TO-92-3 封装。2N5401
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。