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199,570 条型号记录
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TS6K40-T D3

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4K-4 封装。
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TS6K60-T D3

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4K-4 封装。
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TS6K80-T D3

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4K-4 封装。
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TS6P01G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS-6P-4 封装。
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TSS4B04GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
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TSS4B02GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
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TSS4B01GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
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TSS4B03G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
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TSS4B01G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
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TSS4B03GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
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TSS4B04G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
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DBL107G-T CBG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
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DBL105G-T CBG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
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DBL106G-T CBG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
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DBL104G-T CBG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
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TS10K80-A D3G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4K-4 封装。
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TS10K40-A D3G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4K-4 封装。
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TS10K60-A D3G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4K-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4K-4 封装。
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