ABS2HRGG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录DBLS152G RDG
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 1.5A,100V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.DBLS155G RDG
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 1.5A,600V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.KBPC15010T
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000 V - 15 ATS15P01GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A，采用 TS-6P-4 封装。TS15P03GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A，采用 TS-6P-4 封装。TS15P04GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A，采用 TS-6P-4 封装。CBR4M-L040
Central Semiconductor
主要参数包括正向电流（If） 6.28 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 400 V、型号别名 BK CBR4M-L040。GBU406-K D2G
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-3
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-3 封装。GBU404-K D2
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-3
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-3 封装。GBU407-K D2G
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-3
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-3 封装。GBU405-K D2G
Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-3
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-3 封装。RABS15MHRGG
Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-L-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A，采用 ABS-L-4 封装。TS8P03G D2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS6P04GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS6P05GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS6P07G D2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS8P04GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS8P03GHD2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。CBR8M-L080
Central Semiconductor
主要参数包括正向电流（If） 8 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 800 V。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。