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分立与功率器件

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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

CBR8M-L060

Central Semiconductor

主要参数包括正向电流(If) 8 A、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、反向电流(Ir) 10 uA、反向电压(Vr) 600 V。

RMB2SHRC

Taiwan Semiconductor · 封装:TO-269AA-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 800 mA、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 TO-269AA-4 封装。

CBR8M-L010

Central Semiconductor

主要参数包括正向电流(If) 8 A、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、反向电流(Ir) 10 uA、反向电压(Vr) 100 V。

CBR8M-L020

Central Semiconductor

主要参数包括正向电流(If) 8 A、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、反向电流(Ir) 10 uA、反向电压(Vr) 200 V。

TS10P03GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装:TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 TS-6P-4 封装。

TS10P04GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装:TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 TS-6P-4 封装。

TS10P02GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装:TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 TS-6P-4 封装。

TS10P01GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装:TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 TS-6P-4 封装。

TS10P05GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装:TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 TS-6P-4 封装。

TS10P06GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装:TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 200 A,采用 TS-6P-4 封装。

CBR1-D060 PBFREE

Central Semiconductor · 封装:DIP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 50 A,采用 DIP-4 封装。

GBU1005HD2

Taiwan Semiconductor · 封装:GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 10 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 220 A,采用 GBU-4 封装。

DBLS151G RD

Taiwan Semiconductor · 封装:DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C,采用 DBLS-4 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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