芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

GBU25B

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 100 V，采用 GBU-4 封装。

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TS50P05G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS6P-4 封装。

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GBU15L06HD2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.93 V、最大浪涌电流 630 A，采用 GBU-4 封装。

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TS50P06GHC2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 TS-6P-4 封装。

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KBJ802

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 200 V，采用 KBJ-4 封装。

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HDBL107GHC1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。

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HDBL101GHC1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。

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HDBL104GHC1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。

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GBU15L06 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.93 V、最大浪涌电流 630 A，采用 GBU-4 封装。

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DBLS105G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。

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GBPC1504T

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 400 V - 15 A

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GBJ30J

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 5.2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 420 A，采用 GBJ-4 封装。

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KBU15005

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 50 V，采用 KBU-4 封装。

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KBU1508

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V，采用 KBU-4 封装。

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KBJ2501G

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ 封装。

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DBLS207G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。

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ABS8-T REG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。

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GBJ35K

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6.8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 500 A，采用 GBJ-4 封装。

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GBJ35B

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6.8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 500 A，采用 GBJ-4 封装。

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CBR8M-L040

Central Semiconductor

主要参数包括正向电流（If） 8 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 400 V。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。