芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

DBL203G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。

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GBU807-K D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。

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TS20P02G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A，采用 TS-6P-4 封装。

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KBL605G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 KBL-4 封装。

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KBL604G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL-4 封装。

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KBL607G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 KBL-4 封装。

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DBL152G C1G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1.5A,100V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.

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DBL151G C1G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1.5A,50V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

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DBL156G C1G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1.5A,800V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.

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DBL201G C1G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 2A,50V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

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DBL202G C1G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 2A,100V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.

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YBS3005G RAG

Taiwan Semiconductor · 封装：YBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.93 V、最大浪涌电流 220 A，采用 YBS-4 封装。

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ABS15M RG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、最大浪涌电流 40 A、长度 4.1 mm，采用 ABS 封装。

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TS25P07G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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TS40P07G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 TS-6P-4 封装。

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EABS1D REG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。

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DBL206GHC1

Taiwan Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

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DBL209G C1G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 2A,1400V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.

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DBL205G C1G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 2A,600V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.

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DBL207G C1G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 2A,1000V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。