芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

DBLS107G-T C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。

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DBL106G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DBL-4 封装。

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DBL102G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DBL-4 封装。

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HDBLS104GHRD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。

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HDBLS101GHRD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。

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HDBLS105GHRD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。

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TS10P06G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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HDBLS103G RD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。

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HDBLS104G RD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。

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HDBLS101G RD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。

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DBL105G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。

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TSS4B01GHC2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。

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DBL107G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。

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TS15P02G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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TS15P05G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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TS15P06G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。

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DBL102GHC1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。

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DBL103GHC1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。

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HDBLS104G RDG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。

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GBU804-K D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。