KBPC15010W
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000 V - 15 A分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录TS6P02G D2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS6P01G D2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS8P04G D2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。GBPC15010T
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000 V - 15 ATS15P05G-K D2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 7.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。KBPC25010T
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBPC-T/W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 KBPC-T/W 封装。TS20P03G C2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 TS-6P-4 封装。TS6P06G D2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS6P03G D2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TS15P03G C2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。TSS4B02G D2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS4B-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。TS15P01G D2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A，采用 TS-6P-4 封装。KBPC35010T
GeneSiC Semiconductor · 封装：KBPC-T/W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 KBPC-T/W 封装。DBLS205GHRDG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DBLS156GHRDG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DBLS202GHRDG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。DBLS159GHRDG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。TS10P07G D2
Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 TS-6P-4 封装。KBL403G T0
Taiwan Semiconductor · 封装：KBL-3
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。