芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

DBLS156G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。

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ABS20MHRGG

Taiwan Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

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DBLS152G RD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。

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DBLS203GHRD

Taiwan Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

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DBLS206GHRD

Taiwan Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

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DBLS209GHRD

Taiwan Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

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DBLS156G RD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。

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DBLS155GHRD

Taiwan Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

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DBLS158G RD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。

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DBLS156GHRD

Taiwan Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

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DBLS207GHRD

Taiwan Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

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TS10P07GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 TS-6P-4 封装。

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DBLS156G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1.5A,800V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

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DBLS201G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 2A,50V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

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DBLS158G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1.5A,1200V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

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DBLS151G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1.5A,50V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

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DBLS208G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 2A,1200V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

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DBLS153G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1.5A,200V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.

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TS15P02GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A，采用 TS-6P-4 封装。

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TS15P05GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A，采用 TS-6P-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。