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199,570 条型号记录
每页 20 条

GBL2005

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V，采用 GBL-4 封装。
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TS40P07G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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GBJ10B

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.7 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBJ-4 封装。
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GBPC1510T

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBPC-TW-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-TW-4 封装。
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GBJ20M

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4.2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBJ-4 封装。
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DBLS107G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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KBJ1501

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 100 V，采用 KBJ-4 封装。
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TS50P06G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS6P-4 封装。
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KBJ801

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V，采用 KBJ-4 封装。
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GBJ35G

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6.8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 500 A，采用 GBJ-4 封装。
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GBJ35D

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6.8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 500 A，采用 GBJ-4 封装。
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EABS1J RGG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
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KBU1502

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 200 V，采用 KBU-4 封装。
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KBU1501

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 100 V，采用 KBU-4 封装。
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GBU15L06 D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 7.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.93 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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DBLS204G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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DBLS155G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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