ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

分立与功率器件

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

KBL6005G

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 180 A，采用 KBL-4 封装。
查看资料 询价

DBL207G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
查看资料 询价

TS35P05G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。
查看资料 询价

TS40P05G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 TS-6P-4 封装。
查看资料 询价

DBL208G C1G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 2A,1200V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.
查看资料 询价

GBU20M

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 1000 V，采用 GBU-4 封装。
查看资料 询价

TS25P07GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。
查看资料 询价

TS25P05GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。
查看资料 询价

GBJ20B

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4.2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBJ-4 封装。
查看资料 询价

HDBL106G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。
查看资料 询价

HDBL101G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。
查看资料 询价

HDBL107G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。
查看资料 询价

GBL208

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V，采用 GBL-4 封装。
查看资料 询价

GBL202

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 200 V、宽度 4.6 mm，采用 GBL-4 封装。
查看资料 询价

GBL210

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V，采用 GBL-4 封装。
查看资料 询价

TS25P06GHD2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
查看资料 询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库｜技术参数与数据手册｜ChipSourceHub 美芯科技