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型号列表

199,570 条型号记录
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HDBLS107GHRD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。
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TS10P06G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 TS-6P-4 封装。
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HDBLS105G RDG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。
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TS20P07G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A，采用 TS-6P-4 封装。
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HDBLS103GHRD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。
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DBL157G-T CBG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
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TS15P07G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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TS15P04G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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TS20P06G D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-6P-4 封装。
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TS10KL80 D3

Taiwan Semiconductor · 封装：KBJL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 180 A，采用 KBJL-4 封装。
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DBL152G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
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DBL204G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
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DBL154G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
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DBL107GHC1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
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YBS2205G RAG

Taiwan Semiconductor · 封装：YBS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.91 V、最大浪涌电流 90 A，采用 YBS-4 封装。
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TS25P06G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。
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GBJ6G

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.7 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBJ-4 封装。
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GBJ6M

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.7 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBJ-4 封装。
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GBJ6B

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.7 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 150 A，采用 GBJ-4 封装。
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