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分立与功率器件

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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

TS25P07G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。
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MBS6-K RCG

Taiwan Semiconductor · 封装：MBS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 10 V、最大浪涌电流 35 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MBS-4 封装。
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ABS20M-T REG

Taiwan Semiconductor · 封装：ABS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
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DBLS208G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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KBPC15005T

GeneSiC Semiconductor

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C。
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DBLS154G RD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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DBLS154G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1.5A,400V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
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TS20P05GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A，采用 TS-6P-4 封装。
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TS15P06G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A，采用 TS-6P-4 封装。
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RMB4S RC

Taiwan Semiconductor · 封装：MBS-4

主要参数包括正向电流（If） 0.8 A、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、长度 4.9 mm，采用 MBS-4 封装。
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KBL402G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBL-4 封装。
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