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DBLS204G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 2A,400V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
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DBLS202G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 2A,100V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
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DBLS106G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。
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GBJ20K

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4.2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBJ-4 封装。
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KBJ602

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ-4 封装。
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HDBL105G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBL-4 封装。
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GBJ30G

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 5.2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 420 A，采用 GBJ-4 封装。
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GBJ30B

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 5.2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 420 A，采用 GBJ-4 封装。
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GBJ25D

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4.5 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBJ-4 封装。
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TS50P07GHC2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 TS-6P-4 封装。
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TS50P05G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 TS-6P-4 封装。
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KBJ806

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V，采用 KBJ-4 封装。
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GBU2507 D2

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.08 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBU-4 封装。
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GBJ15M

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 250 A，采用 GBJ-4 封装。
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GBJ15D

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3.5 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 250 A，采用 GBJ-4 封装。
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TS25P04G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。
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