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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

GBJ35J

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6.8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 500 A，采用 GBJ-4 封装。
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DBL105G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A，采用 DBL-4 封装。
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TS20P07GHD2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 250 A，采用 TS-6P-4 封装。
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TS15P05G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A，采用 TS-6P-4 封装。
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TS20P02G C2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 TS-6P-4 封装。
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DBL155G C1G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1.5A,600V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.
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DBL102G C1G

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 40 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。
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KBL601G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 KBL-4 封装。
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KBL602G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A，采用 KBL-4 封装。
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DBL154G C1G

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 1.5A,400V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.BRIDGE RECT.
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TS10KL100 D3

Taiwan Semiconductor · 封装：KBJL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 180 A，采用 KBJL-4 封装。
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HDBLS107G RDG

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DBLS-4 封装。
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KBL401G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBL-4 封装。
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KBL404G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBL-3

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL-3 封装。
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DBLS206G RDG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 2A,800V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
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