芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

GBU15B

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。

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GBJ10J

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.7 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBJ-4 封装。

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TS25P05G D2

Taiwan Semiconductor · 封装：TS-6P-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 350 A，采用 TS-6P-4 封装。

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DBL208G C1

Taiwan Semiconductor · 封装：DBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBL-4 封装。

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KBL603G T0

Taiwan Semiconductor · 封装：KBL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL-4 封装。

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KBJ1504

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 400 V，采用 KBJ-4 封装。

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KBU4005

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V，采用 KBU-4 封装。

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GBU20K

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 20 A、峰值反向电压 800 V，采用 GBU-4 封装。

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GBU806-K D2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。

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CBR2-D060S TR13

Central Semiconductor · 封装：SMDIP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SMDIP-4 封装。

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DBLS159G RD

Taiwan Semiconductor · 封装：DBLS-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 DBLS-4 封装。

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ABS20M RGG

Taiwan Semiconductor

Bridge Rectifiers 2A,1000V,GLASS PASSIVATED, THIN MINI BRIDGE RECT.

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GBPC5002W

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 200 V - 50 A

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CBRHD-06 BK

Central Semiconductor · 封装：HDDIP

主要参数包括正向电流（If） 400 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 5 uA、反向电压（Vr） 600 V、型号别名 BK CBRHD-06 PBFREE，采用 HDDIP 封装。

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KBPC25010W

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 1000 V - 25 A

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CBR1-D080S

Central Semiconductor · 封装：SMDIP

主要参数包括正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 800 V、型号别名 CBR1-D080S PBFREE，采用 SMDIP 封装。

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GBPC5010T

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 1000 V - 50 A

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GBPC50005W

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 50 V - 50 A

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GBPC2502T

GeneSiC Semiconductor

Bridge Rectifiers 200 V - 25 A

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TS10KL100 D3G

Taiwan Semiconductor · 封装：KBJL-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 180 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJL-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。