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分立与功率器件

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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

KBP3005

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 50 V，采用 KBP-4 封装。
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GBJ10K

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.7 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBJ-4 封装。
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UR8KB60 C2G

Taiwan Semiconductor · 封装：D3K-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 55 C，采用 D3K-4 封装。
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GBU15L05HD2G

Taiwan Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 7.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.87 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。
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GBU25K

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V，采用 GBU-4 封装。
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GBJ25B

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4.5 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBJ-4 封装。
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KBJ1001

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V，采用 KBJ-4 封装。
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GBJ20J

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4.2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBJ-4 封装。
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GBL201

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 200 V、宽度 4.6 mm，采用 GBL-4 封装。
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GBJ15G

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3.5 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 250 A，采用 GBJ-4 封装。
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GBU15D

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。
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GBJ10D

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBJ-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2.7 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 200 A，采用 GBJ-4 封装。
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