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分立与功率器件

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CBR10-J040

Central Semiconductor · 封装：CASE CM

主要参数包括正向电流（If） 5 A、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 150 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 400 V、型号别名 CBR10-J040 PBFREE，采用 CASE CM 封装。
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CBR10-J020

Central Semiconductor

主要参数包括正向电流（If） 5 A、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 150 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 200 V。
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CBR1-L060M

Central Semiconductor · 封装：CASE B-M

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 CASE B-M 封装。
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CBR2-L040M

Central Semiconductor · 封装：CASE B-M

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 CASE B-M 封装。
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CBR1-L080M

Central Semiconductor · 封装：CASE B-M

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 CASE B-M 封装。
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CBR2-L010M

Central Semiconductor · 封装：CASE B-M

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 CASE B-M 封装。
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CBRHD-02 BK

Central Semiconductor · 封装：HDDIP

主要参数包括正向电流（If） 400 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 5 uA、反向电压（Vr） 200 V、型号别名 BK CBRHD-02 PBFREE，采用 HDDIP 封装。
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CBRHD-01 BK

Central Semiconductor · 封装：HDDIP

主要参数包括正向电流（If） 400 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 5 uA、反向电压（Vr） 100 V、型号别名 BK CBRHD-01 PBFREE，采用 HDDIP 封装。
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CBRHD-10 BK

Central Semiconductor · 封装：HDDIP

主要参数包括正向电流（If） 400 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 5 uA、反向电压（Vr） 1000 V、型号别名 BK CBRHD-10 PBFREE，采用 HDDIP 封装。
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CBR2-D040S TR13

Central Semiconductor · 封装：SMDIP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 SMDIP-4 封装。
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CBR10A-J060

Central Semiconductor · 封装：CASE CM

主要参数包括型号别名 CBR10A-J060 PBFREE，采用 CASE CM 封装。
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CBR10A-J020

Central Semiconductor · 封装：CASE CM

主要参数包括型号别名 CBR10A-J020 PBFREE，采用 CASE CM 封装。
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CBRHD-04 BK

Central Semiconductor · 封装：HDDIP

主要参数包括正向电流（If） 400 mA、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 5 uA、反向电压（Vr） 400 V、型号别名 BK CBRHD-04 PBFREE，采用 HDDIP 封装。
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CBR2-L100M

Central Semiconductor · 封装：CASE B-M

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 CASE B-M 封装。
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GBPC3510T

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBPC-TW-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-TW-4 封装。
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GBP410

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V，采用 GBP-4 封装。
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