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199,570 条型号记录
每页 20 条

KBU1008

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBU

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。
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CBR1-L010M

Central Semiconductor · 封装：CASE B-M

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 CASE B-M 封装。
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CBR1-D020

Central Semiconductor · 封装：DIP

主要参数包括正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 200 V、型号别名 CBR1-D020 PBFREE，采用 DIP 封装。
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CBR1-D100S

Central Semiconductor · 封装：SMDIP

主要参数包括正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 1000 V、型号别名 CBR1-D100S PBFREE，采用 SMDIP 封装。
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CBR1-D040S

Central Semiconductor · 封装：SMDIP

主要参数包括正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 400 V、型号别名 CBR1-D040S PBFREE，采用 SMDIP 封装。
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CBR1-D020S

Central Semiconductor · 封装：SMDIP

主要参数包括正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 200 V、型号别名 CBR1-D020S PBFREE，采用 SMDIP 封装。
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KBL606G

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBL

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 180 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL 封装。
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CBRSDSH2-100 TR13

Central Semiconductor · 封装：SMDIP

主要参数包括型号别名 CBRSDSH2-100 PBFREE TR13，采用 SMDIP 封装。
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DB105G

GeneSiC Semiconductor · 封装：DB

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。
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CBR1-L020M

Central Semiconductor · 封装：CASE B-M

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 CASE B-M 封装。
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CBR1-D100S TR13

Central Semiconductor · 封装：SMDIP

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMDIP 封装。
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CBR1-L100M

Central Semiconductor · 封装：CASE B-M

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 CASE B-M 封装。
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CBRLDSH1-40 TR13

Central Semiconductor · 封装：LPDIP

主要参数包括正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 500 mV、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 100 uA、反向电压（Vr） 40 V、型号别名 CBRLDSH1-40 PBFREE TR13，采用 LPDIP 封装。
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CBRSDSH2-100

Central Semiconductor · 封装：SMDIP-4

主要参数包括技术 Si、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 2 A、正向电压（Vf） 650 mV、最小工作温度 - 50 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SMDIP-4 封装。
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CBR1-D060S

Central Semiconductor · 封装：SMDIP

主要参数包括正向电流（If） 1 A、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、反向电流（Ir） 10 uA、反向电压（Vr） 600 V、型号别名 CBR1-D060S PBFREE，采用 SMDIP 封装。
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CBRSDSH2-60 TR13

Central Semiconductor · 封装：SMDIP

主要参数包括正向电流（If） 2 A、正向电压（Vf） 600 mV、最大浪涌电流 110 A、反向电流（Ir） 70 uA、反向电压（Vr） 60 V，采用 SMDIP 封装。
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CBR2-L060M

Central Semiconductor · 封装：CASE B-M

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 60 A，采用 CASE B-M 封装。
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