GBJA2508-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装:JA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 350 A,采用 JA-4 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Micro Commercial Components (MCC) · 封装:JA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 350 A,采用 JA-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:D3K-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 6 A、峰值反向电压 1 kV、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 170 A,采用 D3K-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:JA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 350 A,采用 JA-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:JA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 350 A,采用 JA-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:JA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 350 A,采用 JA-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:JA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 350 A,采用 JA-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:JA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 350 A,采用 JA-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:GBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 80 A,采用 GBL-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:GBL-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.05 V、最大浪涌电流 80 A,采用 GBL-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:JB-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A,采用 JB-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:JB-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A,采用 JB-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:JB-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 600 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A,采用 JB-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:JB-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A,采用 JB-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:JB-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A,采用 JB-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:JB-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A,采用 JB-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:JB-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 150 A,采用 JB-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:GBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 400 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 80 A,采用 GBP-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:GBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 200 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 80 A,采用 GBP-4 封装。Micro Commercial Components (MCC) · 封装:GBP-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 3 A、峰值反向电压 100 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 80 A,采用 GBP-4 封装。GeneSiC Semiconductor · 封装:BR-8
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流(If) 8 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 125 A、最小工作温度 - 65 C,采用 BR-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。