ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

分立与功率器件

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

S3BR8F

Semtech

主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.2 V。
查看资料 询价

DPG60B600LB-TRR

IXYS · 封装：SMPD-9

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 60 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 3.19 V、最大浪涌电流 250 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SMPD-9 封装。
查看资料 询价

3SBMB4F

Semtech

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V。
查看资料 询价

3SBMC4F

Semtech

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V。
查看资料 询价

VS-70MT160P-P

Vishay Semiconductors · 封装：MTP PressFit

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Press Fit Pins、正向电流（If） 75 A、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.45 V、最大浪涌电流 398 A，采用 MTP PressFit 封装。
查看资料 询价

VS-40MT160P-P

Vishay Semiconductors · 封装：MTP PressFit

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 Press Fit Pins、正向电流（If） 45 A、峰值反向电压 1.6 kV、正向电压（Vf） 1.45 V、最大浪涌电流 280 A，采用 MTP PressFit 封装。
查看资料 询价

CD-DF408SL

Bourns

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.86 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C。
查看资料 询价

3SBMB6

Semtech

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V。
查看资料 询价

3SBMC6

Semtech

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V。
查看资料 询价

3SBMB6F

Semtech

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V。
查看资料 询价

SC3AS4F

Semtech

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 110 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 750 A。
查看资料 询价

SC3AS2A

Semtech

主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 130 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V。
查看资料 询价

GBU1504-G

Comchip Technology · 封装：GBU-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V，采用 GBU-4 封装。
查看资料 询价

GBJL610

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJL-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 6 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 170 A，采用 GBJL-4 封装。
查看资料 询价

KBP3005G-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 80 A，采用 GBP-4 封装。
查看资料 询价

GBL08

GeneSiC Semiconductor · 封装：GBL

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
查看资料 询价

KBJ406G

GeneSiC Semiconductor · 封装：KBJ

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBJ 封装。
查看资料 询价

DB106G

GeneSiC Semiconductor · 封装：DB

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。
查看资料 询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库｜技术参数与数据手册｜ChipSourceHub 美芯科技