GBLA08-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录G2SB80-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。BU25105S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。GBJ3504-BP
Micro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 35A GLASs PASSIVATED BRIDGEGBJ1002-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。GBJ1501-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。GBJ10005-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。CDBHM260L-G
Comchip Technology · 封装：MBS-2-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 60 V、正向电压（Vf） 0.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 MBS-2-4 封装。GBU6D-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 175 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。GBPC3504W-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBPC-W-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W-4 封装。GBJA1010-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：JA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 JA-4 封装。GBJA1510-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：JA-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 15 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 220 A，采用 JA-4 封装。SDB156-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SDB-1-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SDB-1-4 封装。GBPC3506-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBPC-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-4 封装。BU15105S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU20085S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。BU20065S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 240 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。GBLA01-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。GBLA005-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。GBLA02-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。