D30JCT120V-7500
Shindengen · 封装：JC-5
主要参数包括类型 Three Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 30 A、峰值反向电压 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 945 A，采用 JC-5 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录GBU8A-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 200 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。CDBHM280L-G
Comchip Technology
Bridge Rectifiers MBS-2, VR=80V IO=2APB605-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：PB-6
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 PB-6 封装。GBLA10-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：GBL
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。LVE1560-M3/P
Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 7.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.85 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GSIB-5S-4 封装。GBJ3501-BP
Micro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 35A GLASs PASSIVATED BRIDGECDBHM290L-HF
Comchip Technology · 封装：MBS-2-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 90 V、正向电压（Vf） 0.85 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MBS-2-4 封装。BU25085S-E3/45
Vishay Semiconductors · 封装：BU
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 BU 封装。GBU2508-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBU-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBU-4 封装。KBP202G-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A。GBJ35005-BP
Micro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 35A GLASs PASSIVATED BRIDGES1WB(A)80-7072
Shindengen
主要参数包括长度 10.5 mm、宽度 6.5 mm、高度 3.1 mm。MP5005W-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：MP-50W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 50 C，采用 MP-50W 封装。CDBHM280L-HF
Comchip Technology · 封装：MBS-2-4
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 80 V、正向电压（Vf） 0.85 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 MBS-2-4 封装。MP508W-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：MP-50W
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 50 C，采用 MP-50W 封装。CDBHM250L-G
Comchip Technology · 封装：MBS-2-4
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 0.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 MBS-2-4 封装。SC35VB80-G
Comchip Technology · 封装：SCVB-5
主要参数包括技术 Si、类型 Three Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V，采用 SCVB-5 封装。GBJ808-F
Diodes Incorporated · 封装：GBJ
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 65 C，采用 GBJ 封装。B250C1500GL81E4/51
Vishay Semiconductors · 封装：WOG-4
主要参数包括端接方式 通孔安装、单件重量 0.039507 oz，采用 WOG-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。