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199,570 条型号记录
每页 20 条

BR102-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：PB-6-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 PB-6-4 封装。
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GBJ1001-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 170 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。
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VBO50-08NO7

IXYS · 封装：PWS-A

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.6 V、最大浪涌电流 750 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 PWS-A 封装。
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RS504-G

Comchip Technology · 封装：RS-5

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3.3 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 RS-5 封装。
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VUC36-12GO2

IXYS · 封装：Kamm-Modul

主要参数包括类型 Three Phase Bridge、峰值反向电压 1200 V、正向电压（Vf） 1.85 V、最大浪涌电流 330 A、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 Kamm-Modul 封装。
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RS507-G

Comchip Technology · 封装：RS-5

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3.3 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 RS-5 封装。
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GBJ2501-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。
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LVE2560-M3/P

Vishay Semiconductors · 封装：GSIB-5S-4

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 12.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 0.87 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GSIB-5S-4 封装。
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G2SB60-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装：GBL

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 80 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
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KBJ4005G

Diodes Incorporated · 封装：KBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 65 C，采用 KBJ 封装。
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GBJ2502-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBJ

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBJ 封装。
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KBP204G-BP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A。
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KBP310G-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 80 A，采用 GBP-4 封装。
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GBPC2501-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBPC-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 GBPC-4 封装。
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GBLA06-E3/45

Vishay Semiconductors · 封装：GBL

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
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RS501-G

Comchip Technology · 封装：RS-5

主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 3.3 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 RS-5 封装。
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KBP408G-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 110 A，采用 GBP-4 封装。
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KBP410G-BP

Micro Commercial Components (MCC) · 封装：GBP-4

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 110 A，采用 GBP-4 封装。
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